制造商型号： | DMN3022LDG-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN3022LDG-13
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DMN3022LDG-13 中文资料
数据手册PDF
DMN3022LDG-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 22 mOhms, 8 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V, 800 mV
栅极电荷 3.7 nC, 8 nC
耗散功率 1.96 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.9 ns, 2.4 ns
上升时间 1.8 ns, 2.5 ns
典型关闭延迟时间 7.2 ns, 11.7 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns, 5.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 2.675786 | 8027.36 |
