制造商型号: | KIA3510AB |
制造商: | KIA |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W 类型:N沟道 |
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渠道: | |
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KIA KIA3510AB
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KIA3510AB 规格参数
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制造商型号
KIA3510AB
制造商
KIA
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
75A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
11mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
166W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 1365
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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KIA3510AB品牌厂家:KIA
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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