制造商型号： | KIA840SB |
制造商： | KIA |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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KIA KIA840SB
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KIA840SB 规格参数
属性
参数值
制造商型号
KIA840SB
制造商
KIA
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
8A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
900mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
100W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 769
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.122957 | 2.12 |
| 30 | 2.049752 | 61.49 |
| 100 | 1.903342 | 190.33 |
| 500 | 1.75692 | 878.46 |
| 1000 | 1.683715 | 1683.72 |
品牌其他型号
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KIA840SB品牌厂家：KIA
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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