制造商型号： | KIA6N70HD |
制造商： | KIA |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：95W(Tc) 类型：N沟道 |
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KIA KIA6N70HD
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KIA6N70HD 规格参数
属性
参数值
制造商型号
KIA6N70HD
制造商
KIA
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：95W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
700V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
5.8A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.3Ω @ 2.4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
95W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 3233
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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KIA6N70HD品牌厂家：KIA
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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