制造商型号： | KIA50N06BD |
制造商： | KIA |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多KIA50N06BD价格库存等采购信息！ |
KIA KIA50N06BD
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
KIA50N06BD 规格参数
属性
参数值
制造商型号
KIA50N06BD
制造商
KIA
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
50A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
12.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
88W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 1499
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.1858 | 1.19 |
| 30 | 1.14345 | 34.30 |
| 100 | 1.1011 | 110.11 |
| 500 | 1.0164 | 508.20 |
| 1000 | 0.97405 | 974.05 |
品牌其他型号
KIA50N06BD品牌厂家：KIA
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购KIA50N06BD、查询KIA50N06BD代理商； KIA50N06BD价格批发咨询客服；这里拥有
KIA50N06BD中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
KIA50N06BD替代型号
、
KIA50N06BD数据手册PDF。