类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：750mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：8.5nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：220pf @ 25V
功率 - 最大：40W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220AB
包装：散装
供应商设备封装：*
IXTP1N80
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP180N10T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220 | 立即购买 |
| IXTP160N10T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 100V 160A TO-220 | 立即购买 |
| IXTP140N12T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | 120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET | 立即购买 |
| IXTP1N100 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB | 立即购买 |
| IXTP10P50P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET P-CH 500V 10A TO-220 | 立即购买 |