制造商型号: | IXTP180N10T |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP180N10T
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IXTP180N10T 中文资料
数据手册PDF
IXTP180N10T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 151 nC
耗散功率 480 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 110 S
上升时间 54 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 33 ns
外形参数
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
IXTP180N10T 同类别型号
库存: 1480
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 89.210465 | 89.21 |
10 | 80.12879 | 801.29 |
100 | 65.647535 | 6564.75 |
500 | 55.884054 | 27942.03 |
1000 | 47.131174 | 47131.17 |
2000 | 45.90694 | 91813.88 |
品牌其他型号
IXTP180N10T品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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