类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.9 毫欧 @ 43A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 55µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：134nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：6475pF @ 25V
功率 - 最大：105W
安装类型：通孔
封装/外壳：I²Pak, TO-262 (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：TO-262
其它名称：IPI80N06S3L-08-NDIPI80N06S3L-08INIPI80N06S3L08XIPI80N06S3L08XKSP000088131
IPI80N06S3L-08
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI80N04S204AKSA2 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| IPI80N04S2H4AKSA2 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| IPI80N04S403AKSA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 | 立即购买 |
| IPI80N07S405AKSA1 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| IPI80N06S208AKSA2 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | 立即购买 |