制造商:Vishay
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:否
配置:SingleDualDrain
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:250V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:0.45A
功率耗散:1000mW
最大工作温度:+150C
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:HexDIP-4
封装:Tube
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:2500
IRFD214
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFD210PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP | 立即购买 |
IRFD220PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP | 立即购买 |
IRFD213 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 立即购买 |
IRFD214 | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP | 立即购买 |
IRFD224PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP | 立即购买 |