制造商型号: | IRFD224PBF |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) IRFD224PBF
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IRFD224PBF 中文资料
数据手册PDF
IRFD224PBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 760 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 894.062 mg
库存: 2456
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.275391 | 19.28 |
10 | 17.236648 | 172.37 |
100 | 13.442116 | 1344.21 |
500 | 11.104356 | 5552.18 |
1000 | 8.766598 | 8766.60 |
品牌其他型号
IRFD224PBF品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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