类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：Polar™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1830pF @ 25V
功率 - 最大：200W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：管件
供应商设备封装：*
IXTA12N50P
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA10P50P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 | 立即购买 |
| IXTA130N10T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263 | 立即购买 |
| IXTA1N200P3HV | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV | 立即购买 |
| IXTA110N12T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET | 立即购买 |
| IXTA180N10T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 | 立即购买 |