制造商型号: | IXTA180N10T |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA180N10T
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IXTA180N10T 中文资料
数据手册PDF
IXTA180N10T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 6.4 mOhms
耗散功率 480 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
上升时间 54 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 33 ns
外形参数
高度 4.5 mm
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 42.187894 | 42.19 |
10 | 35.409229 | 354.09 |
100 | 28.64558 | 2864.56 |
500 | 25.46304 | 12731.52 |
1000 | 21.802704 | 21802.70 |
品牌其他型号
IXTA180N10T品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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