类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 5.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.3A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :860pF @ 10V
功率 - 最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽)
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:8-SO
其它名称:IRF7204PBFTR
IRF7204TRPBF
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF720SPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK | 立即购买 |
IRF7241TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC | 立即购买 |
IRF7241TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC | 立即购买 |
IRF7241TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC | 立即购买 |
IRF7205TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC | 立即购买 |