类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHT™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 毫欧 @ 400A, 15V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：200nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5400pF @ 25V
功率 - 最大：714W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P
包装：管件
供应商设备封装：*
IXTQ200N06P
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ22N50P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P | 立即购买 |
| IXTQ200N10T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P | 立即购买 |
| IXTQ200N075T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P | 立即购买 |
| IXTQ200N085T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P | 立即购买 |
| IXTQ220N055T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P | 立即购买 |