类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫欧 @ 4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.7A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：270pF @ 25V
功率 - 最大：3.7W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
IRF9Z14STRL
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF9Z10PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB | 立即购买 |
| IRF9Z14PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF9Z24NSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | 立即购买 |
| IRF9Z24NSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | 立即购买 |
| IRF9Z24NSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | 立即购买 |