制造商型号： | IRF9Z10PBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) IRF9Z10PBF
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IRF9Z10PBF 中文资料
数据手册PDF
IRF9Z10PBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 6.7 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
上升时间 63 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF9Z10PBF-BE3
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.15583 | 12.16 |
| 10 | 10.883043 | 108.83 |
| 100 | 8.48477 | 848.48 |
| 500 | 7.008909 | 3504.45 |
| 1000 | 5.533406 | 5533.41 |
品牌其他型号
IRF9Z10PBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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