类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHT™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：82A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：142nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4800pF @ 25V
功率 - 最大：500W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P
包装：管件
供应商设备封装：*
IXTQ82N25P
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ88N30P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P | 立即购买 |
| IXTQ86N20T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P | 立即购买 |
| IXTQ80N28T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P | 立即购买 |
| IXTQ86N25T | IXYS (艾赛斯.力特) | DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3 | 立即购买 |
| IXTQ82N25P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P | 立即购买 |