制造商型号： | IXTQ86N25T |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTQ86N25T
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IXTQ86N25T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 86 A
漏源电阻 37 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
耗散功率 540 W
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Trench Gate
单位重量 1.600 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 30 | 43.402645 | 1302.08 |
品牌其他型号
IXTQ86N25T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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