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IXYS(艾赛斯.力特) IXTQ86N25T

IXYS(艾赛斯.力特) IXTQ86N25T
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXTQ86N25T

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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IXTQ86N25T 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 HiPerFET

商标 IXYS

产品 Power MOSFET Modules

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

漏源击穿电压 250 V

漏极电流 86 A

漏源电阻 37 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

耗散功率 540 W

配置 Single

下降时间 25 ns

上升时间 28 ns

典型关闭延迟时间 55 ns

典型接通延迟时间 22 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

类型 Trench Gate

单位重量 1.600 g

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

30 个

整装:

¥10
单价:¥43.402645 总价:¥1302.08

价格(含增值税)

数量 单价 总价
30 43.402645 1302.08
品牌其他型号
IXTQ86N25T品牌厂家:IXYS ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IXTQ86N25T、查询IXTQ86N25T代理商; IXTQ86N25T价格批发咨询客服;这里拥有 IXTQ86N25T中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IXTQ86N25T替代型号IXTQ86N25T数据手册PDF