类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：32A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：300nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5700pF @ 25V
功率 - 最大：360W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-268
包装：管件
供应商设备封装：*
IXFT32N50
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT340N075T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 75V 340A TO268 | 立即购买 |
| IXFT30N85XHV | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 850V 30A TO268 | 立即购买 |
| IXFT36N50P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 | 立即购买 |
| IXFT32N50Q | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 | 立即购买 |
| IXFT320N10T2-TRL | IXYS (艾赛斯.力特) | IXFT320N10T2 TRL | 立即购买 |