制造商型号： | IXFT30N85XHV |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 850V 30A TO268 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFT30N85XHV
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IXFT30N85XHV 中文资料
数据手册PDF
IXFT30N85XHV 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 850 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 695 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导（Min） 11 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 30
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 126.402122 | 126.40 |
| 10 | 114.231439 | 1142.31 |
| 25 | 108.92082 | 2723.02 |
| 100 | 90.322534 | 9032.25 |
| 250 | 85.009442 | 21252.36 |
| 500 | 79.696352 | 39848.18 |
| 1000 | 71.726718 | 71726.72 |
品牌其他型号
IXFT30N85XHV品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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