类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 1.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：39nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1050pF @ 25V
功率 - 最大：150W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247AD
包装：管件
供应商设备封装：*
IXFH4N100Q
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH46N65X2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH42N50P2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 42A TO247 | 立即购买 |
| IXFH400N075T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH44N50P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH40N50Q2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 40A TO-247 | 立即购买 |