类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.7 毫欧 @ 75A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:75A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:150nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4340pF @ 25V
功率 - 最大:200W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
供应商设备封装:TO-220AB
其它名称:*IRF1404ZPBF
IRF1404ZPBF
概述
在线购买
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
AUIRF1404Z | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB | 立即购买 |
IRF1407STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | 立即购买 |
IRF1407STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | 立即购买 |
IRF1407STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | 立即购买 |
IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK | 立即购买 |