类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHV™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：170 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：36A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：93nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5500pF @ 25V
功率 - 最大：540W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247
包装：管件
供应商设备封装：*
IXFH36N50P
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH36N60P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH340N075T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 75V 340A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH320N10T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 100V 320A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH30N85X | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD | 立即购买 |
| IXFH30N40Q | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 400V 30A TO-247 | 立即购买 |