类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：330 毫欧 @ 3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.1A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：350pF @ 25V
功率 - 最大：850mW
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-92-3（标准主体），TO-226
包装：散装
供应商设备封装：*
ZVN4306AV
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZVN4306AV | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | 立即购买 |
| ZVN4310A | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3 | 立即购买 |
| ZVN4306A | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | 立即购买 |
| ZVN4306GVTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 | 立即购买 |
| ZVN4306GVTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 | 立即购买 |