制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.23Ohms
汲极/源极击穿电压:100V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:1.9A
功率耗散:1.1W
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-6
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:3000
ZXMN10B08E6TA
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZXMN10A07FTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | 立即购买 |
ZXMN10A07FTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | 立即购买 |
ZXMN10A07FTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | 立即购买 |
ZXMN10A11GTA | DIODES (美台) | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | 立即购买 |
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