制造商型号: | ZVN4306GVTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZVN4306GVTA
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ZVN4306GVTA 中文资料
数据手册PDF
ZVN4306GVTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.1 A
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 -
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
库存: 2446
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.941863 | 15.94 |
10 | 15.509834 | 155.10 |
30 | 15.221815 | 456.65 |
100 | 14.933796 | 1493.38 |
品牌其他型号
ZVN4306GVTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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