制造商型号： | ZVN4306A |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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客服： | |
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DIODES(美台) ZVN4306A
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ZVN4306A 中文资料
数据手册PDF
ZVN4306A 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.1 A
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 -
耗散功率 850 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 700 mS
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 4.01 mm
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.566975 | 10.57 |
| 10 | 9.443398 | 94.43 |
| 100 | 7.36478 | 736.48 |
| 500 | 6.08417 | 3042.09 |
| 1000 | 4.803292 | 4803.29 |
品牌其他型号
ZVN4306A品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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