制造商：DiodesInc.
RoHS：否
配置：SingleQuadDrain
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：20V
漏极连续电流：3.2A
功率耗散：1700mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-23-6
封装：Reel
最小工作温度：-55C
ZXM62N03E6TC
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXM62P02E6TA | DIODES (美台) | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 | 立即购买 |
| ZXM62P02E6TA | DIODES (美台) | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 | 立即购买 |
| ZXM62P02E6TA | DIODES (美台) | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 | 立即购买 |
| ZXM62P03E6TA | DIODES (美台) | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 | 立即购买 |
| ZXM62P03E6TA | DIODES (美台) | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 | 立即购买 |