制造商型号： | ZXM62P02E6TA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) ZXM62P02E6TA
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ZXM62P02E6TA 中文资料
数据手册PDF
ZXM62P02E6TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19.2 ns
正向跨导（Min） 1.5 S
上升时间 15.4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
外形参数
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 15 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.991282 | 5973.85 |
| 6000 | 1.854019 | 11124.11 |
| 15000 | 1.785318 | 26779.77 |
| 30000 | 1.716686 | 51500.58 |
品牌其他型号
ZXM62P02E6TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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