制造商：Vishay
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：SingleHexDrain
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：4.3A
功率耗散：1300mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：ChipFET
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000
SI5435BDC-T1-E3
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5435BDC-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 | 立即购买 |
| SI5435BDC-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 | 立即购买 |
| SI5435BDC-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 | 立即购买 |
| SI5433BDC-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 | 立即购买 |
| SI5433BDC-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 | 立即购买 |
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