源漏极间雪崩电压VBR(V):-8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50@4.5V
最大漏极电流Id(on)(A):4.300
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):WDFN6/-55 ~150
描述:4.3A, 8V功率MOSFET
NTLJD2105LTBG
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTLJD3182FZTAG | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 立即购买 |
| NTLJD3182FZTAG | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN | 立即购买 |
| NTLJD3182FZTBG | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN | 立即购买 |
| NTLJD4116NT1G | ON (安森美) | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | 立即购买 |
| NTLJD3115PT1G | ON (安森美) | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | 立即购买 |