源漏极间雪崩电压VBR(V):8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100
最大漏极电流Id(on)(A):1.400
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:-8 V, -1.4 A,双功率MOSFET
NTS2101PT1G
概述
在线购买
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
NTS2101PT1G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | 立即购买 |
NTS2101PT1G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | 立即购买 |
NTS2101PT1G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | 立即购买 |
NTS2101PT1 | ON (安森美) | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | 立即购买 |