源漏极间雪崩电压VBR(V):30(min)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2000
最大漏极电流Id(on)(A):0.154
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150
描述:小信号N沟道230 V, 154 mA, MOSFET 带ESD保护
NTA7002NT1G
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NTA7002NT1G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 30V 0.154A SOT-416 | 立即购买 |
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NTA7002NT1 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 30V 0.154A SOT-416 | 立即购买 |