制造商型号: | NTS2101PT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) NTS2101PT1G
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NTS2101PT1G 中文资料
数据手册PDF
NTS2101PT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 6.4 nC
耗散功率 290 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存: 11381
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.963838 | 4.96 |
10 | 3.822156 | 38.22 |
100 | 2.294536 | 229.45 |
500 | 2.124523 | 1062.26 |
1000 | 1.444602 | 1444.60 |
品牌其他型号
NTS2101PT1G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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