BD13516S、BD13516STU、BD135G对比区别

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型号 BD13516S BD13516STU BD135G

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorNPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  BD135G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 1.25 W, 1.5 A, 25 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 1.50 A 1.50 A 1.50 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 1250 mW

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

针脚数 - - 3

热阻 - - 10℃/W (RθJC)

直流电流增益(hFE) - - 250

长度 8 mm 8.3 mm 7.8 mm

宽度 3.25 mm 3.45 mm 2.66 mm

高度 11.2 mm 11.2 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Rail Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99