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BD13516S
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
BD13516S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

耗散功率 1.25 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11.2 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD13516S引脚图与封装图
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在线购买BD13516S
型号 制造商 描述 购买
BD13516S Fairchild 飞兆/仙童 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor 搜索库存
替代型号BD13516S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD13516S

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-126 NPN 45V 1.5A 1250mW

当前型号

NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

当前型号

型号: BD13516STU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-126 NPN 45V 1.5A 1250mW

完全替代

NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

BD13516S和BD13516STU的区别

型号: BD135G

品牌: 安森美

封装: TO-225 NPN 45V 1.5A 1250mW

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型号: BD135

品牌: 意法半导体

封装: TO-225AA NPN 1250mW

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