
额定电压DC 45.0 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BD13516S 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-126 NPN 45V 1.5A 1250mW | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 | |
型号: BD13516STU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-126 NPN 45V 1.5A 1250mW | 完全替代 | NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | BD13516S和BD13516STU的区别 | |
型号: BD135G 品牌: 安森美 封装: TO-225 NPN 45V 1.5A 1250mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BD135G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 1.25 W, 1.5 A, 25 hFE 新 | BD13516S和BD135G的区别 | |
型号: BD135 品牌: 意法半导体 封装: TO-225AA NPN 1250mW | 功能相似 | NPN 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。 | BD13516S和BD135的区别 |