MTB30P06VT4、SPD30P06P、MTB30P06VG对比区别

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型号 MTB30P06VT4 SPD30P06P MTB30P06VG

描述 功率MOSFET 30安培， 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAKSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor功率MOSFET 30安培， 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-252-3 D2PAK

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -30.0 A -30.0 A -

极性 P-Channel P-CH P-CH

耗散功率 3 W 125 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30A

上升时间 25.9 ns 11 ns -

输入电容(Ciss) 2190pF @25V(Vds) 1535pF @25V(Vds) -

下降时间 52.4 ns 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3W (Ta), 125W (Tc) 125W (Tc) -

漏源极电阻 80.0 mΩ - -

漏源击穿电压 60.0 V - -

栅源击穿电压 ±15.0 V - -

额定功率(Max) 3 W - -

长度 10.29 mm 6.5 mm -

宽度 9.65 mm 6.22 mm -

高度 4.83 mm 2.3 mm -

封装 TO-263-3 TO-252-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -