SPD30P06P
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPD30P06P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -30.0 A
极性 P-CH
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1535pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPD30P06P引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SPD30P06P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPD30P06P 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 P-CH 60V 30A | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IRFU5305PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-Channel 55V 31A | 功能相似 | P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | SPD30P06P和IRFU5305PBF的区别 |
| 型号： MTB30P06VT4G 品牌： 安森美 封装： TO-263-3 P-Channel 60V 30A 80mohms | 功能相似 | P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | SPD30P06P和MTB30P06VT4G的区别 |
| 型号： SPU30P06P 品牌： 英飞凌 封装： TO-251-3 P-CH 60V 30A 1.53nF | 功能相似 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | SPD30P06P和SPU30P06P的区别 |