MTB30P06VG
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
MTB30P06VG中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 30A
封装参数
封装 D2PAK
外形尺寸
封装 D2PAK
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
MTB30P06VG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MTB30P06VG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTB30P06VG | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 30安培， 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK | 搜索库存 |
替代型号MTB30P06VG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTB30P06VG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 功率MOSFET 30安培， 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK | 当前型号 |
| 型号： MTB30P06VT4G 品牌： 安森美 封装： TO-263-3 P-Channel 60V 30A 80mohms | 功能相似 | P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | MTB30P06VG和MTB30P06VT4G的区别 |
| 型号： SPD30P06P 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 P-CH 60V 30A | 功能相似 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | MTB30P06VG和SPD30P06P的区别 |
| 型号： SPU30P06P 品牌： 英飞凌 封装： TO-251-3 P-CH 60V 30A 1.53nF | 功能相似 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | MTB30P06VG和SPU30P06P的区别 |
