CSD19532KTT、CSD19536KTT、CSD19532KTTT对比区别

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型号 CSD19532KTT CSD19536KTT CSD19532KTTT

描述 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETN沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=200A P=250W

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 4

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 - 1

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 250 W 375 W 250 W

阈值电压 2.2 V - 2.6 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 200A 200A 200A

上升时间 3 ns 8 ns 3 ns

正向电压(Max) 1 V - -

输入电容(Ciss) 5060pF @50V(Vds) 12000pF @50V(Vds) 5060pF @50V(Vds)

下降时间 2 ns 6 ns 2 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250W (Tc) 375W (Tc) 250W (Tc)

漏源极电阻 - - 5.6 mΩ

漏源击穿电压 - - 100 V

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 9.25 mm

高度 - - 4.7 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -