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CSD19532KTTT

CSD19532KTTT

TI(德州仪器) 分立器件

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=200A P=250W

N-Channel 100V 200A Ta 250W Tc Surface Mount DDPAK/TO-263-3


欧时:
Trans MOSFET N-CH, CSD19532KTTT


得捷:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK


立创商城:
CSD19532KTTT


德州仪器TI:
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 5.6 mOhm


贸泽:
MOSFET 100V, N-channel NexFET Pwr MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


安富利:
MOS Power Transistors LV < 200V


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 250W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


CSD19532KTTT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.6 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 250 W

阈值电压 2.6 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 5060pF @50VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.25 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

CSD19532KTTT引脚图与封装图
CSD19532KTTT引脚图

CSD19532KTTT引脚图

CSD19532KTTT封装图

CSD19532KTTT封装图

CSD19532KTTT封装焊盘图

CSD19532KTTT封装焊盘图

在线购买CSD19532KTTT
型号 制造商 描述 购买
CSD19532KTTT TI 德州仪器 N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=200A P=250W 搜索库存
替代型号CSD19532KTTT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD19532KTTT

品牌: TI 德州仪器

封装: TO-263 N-CH 100V 200A

当前型号

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=200A P=250W

当前型号

型号: CSD19532KTT

品牌: 德州仪器

封装: TO-263 N-CH 100V 200A

类似代替

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

CSD19532KTTT和CSD19532KTT的区别