通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 250 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 3 ns
正向电压Max 1 V
输入电容Ciss 5060pF @50VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD19532KTT | TI 德州仪器 | 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD19532KTT 品牌： TI 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 100V 200A | 当前型号 | 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | 当前型号 |
| 型号： CSD19532KTTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 100V 200A | 类似代替 | N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=200A P=250W | CSD19532KTT和CSD19532KTTT的区别 |
| 型号： CSD19535KTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 100V 200A | 类似代替 | CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD19532KTT和CSD19535KTT的区别 |
| 型号： CSD19536KTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 100V 200A | 功能相似 | CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD19532KTT和CSD19536KTT的区别 |
