极性 N-CH
耗散功率 375 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 12000pF @50VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
CSD19536KTT引脚图
CSD19536KTT封装图
CSD19536KTT封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD19536KTT | TI 德州仪器 | CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD19536KTT 品牌： TI 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 100V 200A | 当前型号 | CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD19536KTTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263-3 N-Channel 100V 200A | 类似代替 | N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments | CSD19536KTT和CSD19536KTTT的区别 |
| 型号： CSD19505KTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-Channel 80V 200A | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS CSD19505KTT 晶体管, MOSFET, N沟道, 212 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.6 V 新 | CSD19536KTT和CSD19505KTT的区别 |
| 型号： CSD19532KTT 品牌： 德州仪器 封装： TO-263 N-CH 100V 200A | 功能相似 | 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 | CSD19536KTT和CSD19532KTT的区别 |
