IRF5210STRLPBF、MTB50P03HDLT4G、IRF5210SPBF对比区别

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型号 IRF5210STRLPBF MTB50P03HDLT4G IRF5210SPBF

描述 P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10VON SEMICONDUCTOR  MTB50P03HDLT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -50.0 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.06 Ω 0.025 Ω 0.06 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 3.1 W 125 W 3.1 W

阈值电压 4 V 1.5 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 30 V 100 V

漏源击穿电压 - 30.0 V -100 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) -40.0 A 50.0 A -40.0 A

上升时间 - 340 ns -

输入电容(Ciss) 2780pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 2.5 W 3.1 W

下降时间 - 218 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 125W (Tc) -

产品系列 IRF5210S - IRF5210S

长度 - 10.29 mm 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99