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IRF5210SPBF

IRF5210SPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF5210SPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.06 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.1 W

产品系列 IRF5210S

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 -100 V

连续漏极电流Ids -40.0 A

输入电容Ciss 2780pF @25VVds

额定功率Max 3.1 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRF5210SPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF5210SPBF International Rectifier 国际整流器 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK 搜索库存
替代型号IRF5210SPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF5210SPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-263 P-Channel -100V -40A

当前型号

场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK

当前型号

型号: IRF5210STRLPBF

品牌: 国际整流器

封装: TO-263 P-Channel -100V -40A 60mohms

完全替代

P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V

IRF5210SPBF和IRF5210STRLPBF的区别

型号: NTB25P06T4G

品牌: 安森美

封装: TO-252-3 P-Channel -60V 27.5A 65mohms

功能相似

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

IRF5210SPBF和NTB25P06T4G的区别

型号: FQB34P10TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-263 P-Channel 100V 33.5mA 60mohms

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34P10TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -33.5 A, -100 V, 0.049 ohm, -10 V, -4 V

IRF5210SPBF和FQB34P10TM的区别