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IRF5210STRLPBF

IRF5210STRLPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF5210STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.06 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.1 W

产品系列 IRF5210S

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids -40.0 A

输入电容Ciss 2780pF @25VVds

额定功率Max 3.1 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF5210STRLPBF引脚图与封装图
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IRF5210STRLPBF International Rectifier 国际整流器 P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V 搜索库存
替代型号IRF5210STRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF5210STRLPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-263 P-Channel -100V -40A 60mohms

当前型号

P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V

当前型号

型号: IRF5210SPBF

品牌: 国际整流器

封装: TO-263 P-Channel -100V -40A

完全替代

场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK

IRF5210STRLPBF和IRF5210SPBF的区别

型号: FQB34P10TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-263 P-Channel 100V 33.5mA 60mohms

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34P10TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -33.5 A, -100 V, 0.049 ohm, -10 V, -4 V

IRF5210STRLPBF和FQB34P10TM的区别

型号: MTB50P03HDLT4G

品牌: 安森美

封装: TO-263-3 P-Channel 30V 50A 25mohms

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MTB50P03HDLT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK

IRF5210STRLPBF和MTB50P03HDLT4G的区别