针脚数 3
漏源极电阻 0.06 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.1 W
产品系列 IRF5210S
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids -40.0 A
输入电容Ciss 2780pF @25VVds
额定功率Max 3.1 W
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF5210STRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF5210STRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-263 P-Channel -100V -40A 60mohms | 当前型号 | P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V | 当前型号 | |
型号: IRF5210SPBF 品牌: 国际整流器 封装: TO-263 P-Channel -100V -40A | 完全替代 | 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK | IRF5210STRLPBF和IRF5210SPBF的区别 | |
型号: FQB34P10TM 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-263 P-Channel 100V 33.5mA 60mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB34P10TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -33.5 A, -100 V, 0.049 ohm, -10 V, -4 V | IRF5210STRLPBF和FQB34P10TM的区别 | |
型号: MTB50P03HDLT4G 品牌: 安森美 封装: TO-263-3 P-Channel 30V 50A 25mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MTB50P03HDLT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK | IRF5210STRLPBF和MTB50P03HDLT4G的区别 |