MJD350T4、MJD350T4G、MJD350G对比区别

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型号 MJD350T4 MJD350T4G MJD350G

描述 Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RON SEMICONDUCTOR  MJD350T4G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD350G  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -300 V -300 V -300 V

额定电流 -500 mA -500 mA -500 mA

针脚数 - 4 4

极性 Dual P-Channel PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 15.0 W 15 W 1.56 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) - 30 240

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1560 mW 1560 mW

热阻 - - 8.33℃/W (RθJC)

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99