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MJD350G

MJD350G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MJD350G  双极晶体管

Bipolar BJT Transistor PNP 300V 500mA 1.56W Surface Mount DPAK


得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A DPAK


e络盟:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD350G  双极晶体管


艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
TRANSISTOR, BIP, PNP, 0.5A, 300V


安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin2+Tab DPAK Rail


Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin2+Tab DPAK Rail


Win Source:
TRANS PNP 300V 0.5A DPAK


MJD350G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

针脚数 4

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.56 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

热阻 8.33℃/W RθJC

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 1.56 W

直流电流增益hFE 240

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD350G引脚图与封装图
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在线购买MJD350G
型号 制造商 描述 购买
MJD350G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJD350G  双极晶体管 搜索库存
替代型号MJD350G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJD350G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-252-3 PNP -300V -500mA 1.56W

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJD350G  双极晶体管

当前型号

型号： MJD350TF

品牌： 安森美

封装： DPAK 1560mW

完全替代

ON Semiconductor MJD350TF , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 DPAK TO-252封装

MJD350G和MJD350TF的区别

型号： NJVMJD350T4G

品牌： 安森美

封装： DPAK PNP 1560mW

类似代替

DPAK PNP 300V 0.5A

MJD350G和NJVMJD350T4G的区别