MJD350T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
极性 Dual P-Channel
耗散功率 15.0 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V
额定功率Max 1.56 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD350T4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJD350T4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD350T4 | ON Semiconductor 安森美 | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号MJD350T4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD350T4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 369C Dual P-Channel -300V -500mA 15W | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： MJD350T4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP -300V -500mA 1560mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD350T4G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE | MJD350T4和MJD350T4G的区别 |
| 型号： NJVMJD350T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK PNP 1560mW | 类似代替 | DPAK PNP 300V 0.5A | MJD350T4和NJVMJD350T4G的区别 |
| 型号： MJD350G 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 PNP -300V -500mA 1.56W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD350G 双极晶体管 | MJD350T4和MJD350G的区别 |