MJD350T4G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
针脚数 4
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 15 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V
额定功率Max 1.56 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1560 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, Audio, Industrial, 电源管理, Power Management, Automotive, 音频
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD350T4G引脚图与封装图 
MJD350T4G引脚图
MJD350T4G封装焊盘图
在线购买MJD350T4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD350T4G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJD350T4G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE | 搜索库存 |
替代型号MJD350T4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD350T4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252 PNP -300V -500mA 1560mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJD350T4G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE | 当前型号 |
| 型号： MJD350G 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 PNP -300V -500mA 1.56W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD350G 双极晶体管 | MJD350T4G和MJD350G的区别 |
| 型号： MJD350T4 品牌： 安森美 封装： 369C Dual P-Channel -300V -500mA 15W | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | MJD350T4G和MJD350T4的区别 |
| 型号： MJD350 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 PNP -300V -500mA 1.56W | 类似代替 | 高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors | MJD350T4G和MJD350的区别 |